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BAV99S-QF

BAV99S-QF Nexperia

BAV99S-Q.pdf Hersteller: Nexperia
Small Signal Switching Diodes DIODE-SS 100V 200MA SOT-363-6
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Technische Details BAV99S-QF Nexperia

Description: NEXPERIA - BAV99S-QF - Kleinsignaldiode, Zweipaarig in Reihe, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-363, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BAV99 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BAV99S-QF BAV99S-QF Hersteller : Nexperia USA Inc. BAV99S-Q.pdf Description: DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
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BAV99S-QF BAV99S-QF Hersteller : NEXPERIA 2901963.pdf Description: NEXPERIA - BAV99S-QF - Kleinsignaldiode, Zweipaarig in Reihe, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAV99 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BAV99S-QF BAV99S-QF Hersteller : NEXPERIA 2901963.pdf Description: NEXPERIA - BAV99S-QF - Kleinsignaldiode, Zweipaarig in Reihe, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAV99 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BAV99S-QF BAV99S-QF Hersteller : Nexperia bav99s-q.pdf Diode Switching 100V 0.2A 6-Pin TSSOP Automotive AEC-Q101
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BAV99S-QF Hersteller : NEXPERIA bav99s-q.pdf Rectifier Diode Switching 100V 0.2A 4ns 6-Pin TSSOP
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BAV99S-QF BAV99S-QF Hersteller : Nexperia USA Inc. BAV99S-Q.pdf Description: DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BAV99S-QF Hersteller : NEXPERIA BAV99S-Q.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 200mA; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
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