BAW156HMFHT116 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V Vrm 0.215A IO SOT-23; SOT-23
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Technische Details BAW156HMFHT116 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BAW156HMFHT116 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 125 mA, 1.1 V, 3 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 3ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 125mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BAW156HMFHT116
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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BAW156HMFHT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BAW156HMFHT116 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 125 mA, 1.1 V, 3 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 3ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 125mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BAW156HMFHT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BAW156HMFHT116 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 125 mA, 1.1 V, 3 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 3ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 125mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAW156HMFHT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: SILICON DIODE, VRRM=85V, VR=80V. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC) Supplier Device Package: SSD3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V |
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BAW156HMFHT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: SILICON DIODE, VRRM=85V, VR=80V. Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC) Supplier Device Package: SSD3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V |
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