BAW56HMFHT116 ROHM Semiconductor
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| 100+ | 0.22 EUR |
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| 3000+ | 0.08 EUR |
| 9000+ | 0.06 EUR |
| 24000+ | 0.06 EUR |
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Technische Details BAW56HMFHT116 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BAW56HMFHT116 - Kleinsignaldiode, AEC-Q101, Zweifach, gemeinsame Anode, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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Verfügbarkeit |
Preis |
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BAW56HMFHT116 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - BAW56HMFHT116 - Kleinsignaldiode, AEC-Q101, Zweifach, gemeinsame Anode, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BAW56HMFHT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SSD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC) Supplier Device Package: SSD3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V Qualification: AEC-Q101 |
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BAW56HMFHT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BAW56HMFHT116 - Kleinsignaldiode, AEC-Q101, Zweifach, gemeinsame Anode, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAW56HMFHT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SSD3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC) Supplier Device Package: SSD3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V Qualification: AEC-Q101 |
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