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BAW56HMFHT116

BAW56HMFHT116 ROHM Semiconductor

datasheet?p=BAW56HMFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: ROHM Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V Vrm; 500mA Ifm Swtch Diode SOT-23
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Technische Details BAW56HMFHT116 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - BAW56HMFHT116 - Kleinsignaldiode, AEC-Q101, Zweifach, gemeinsame Anode, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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BAW56HMFHT116 BAW56HMFHT116 Hersteller : ROHM ROHM-S-A0010151396-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - BAW56HMFHT116 - Kleinsignaldiode, AEC-Q101, Zweifach, gemeinsame Anode, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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BAW56HMFHT116 BAW56HMFHT116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=BAW56HMFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SSD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: SSD3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
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BAW56HMFHT116 BAW56HMFHT116 Hersteller : ROHM ROHM-S-A0010151396-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - BAW56HMFHT116 - Kleinsignaldiode, AEC-Q101, Zweifach, gemeinsame Anode, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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BAW56HMFHT116 BAW56HMFHT116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=BAW56HMFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SSD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: SSD3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
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