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BAW56LT3G

BAW56LT3G ON Semiconductor

baw56lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Small Signal Switching 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BAW56LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BAW56LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 6ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BAW56, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BAW56LT3G BAW56LT3G Hersteller : onsemi baw56lt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
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1767+0.08 EUR
1770+0.08 EUR
1774+0.08 EUR
1777+0.07 EUR
1780+0.07 EUR
1783+0.07 EUR
1786+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1767
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BAW56LT3G BAW56LT3G Hersteller : ON Semiconductor baw56lt1-d.pdf Diode Small Signal Switching 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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1770+0.08 EUR
1774+0.08 EUR
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6000+0.07 EUR
15000+0.07 EUR
30000+0.07 EUR
75000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1770
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10102+0.01 EUR
10527+0.01 EUR
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BAW56LT3G BAW56LT3G Hersteller : onsemi baw56lt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
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228+0.08 EUR
267+0.07 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.04 EUR
2000+0.03 EUR
5000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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BAW56LT3G BAW56LT3G Hersteller : onsemi BAW56LT1_D-3574669.pdf Small Signal Switching Diodes 70V 200mA
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100+0.07 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.04 EUR
5000+0.03 EUR
10000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAW56LT3G BAW56LT3G Hersteller : ONSEMI 2353747.pdf Description: ONSEMI - BAW56LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 72499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BAW56LT3G BAW56LT3G Hersteller : ONSEMI 2353747.pdf Description: ONSEMI - BAW56LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 72499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BAW56LT3G BAW56LT3G Hersteller : ON Semiconductor baw56lt1-d.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching 0.2A 6ns 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAW56LT3G Hersteller : ON-Semicoductor baw56lt1-d.pdf 0,2A; 70V; SMD; 6ns; 0,3W; packaging: tape&reel BAW56LT3G SOT23 ONS DIBAW56LT3G ONS
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAW56LT3G BAW56LT3G Hersteller : ONSEMI baw56lt1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BAW56LT3G BAW56LT3G Hersteller : ON Semiconductor baw56lt1-d.pdf Diode Small Signal Switching 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAW56LT3G BAW56LT3G Hersteller : ONSEMI baw56lt1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
Produkt ist nicht verfügbar
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