BAW56SH6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BAW56SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE ARR GP 80V 200MA SOT363-PO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Pair Common Anode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC), Supplier Device Package: PG-SOT363-PO, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V.
Weitere Produktangebote BAW56SH6327XTSA1 nach Preis ab 0.041 EUR bis 0.91 EUR
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BAW56SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Diode Switching 85V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BAW56SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Switching 85V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BAW56SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Switching 85V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BAW56SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Switching 85V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BAW56SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE ARR GP 80V 200MA SOT363-PO Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BAW56SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Switching 85V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BAW56SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Switching 85V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BAW56SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR |
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BAW56SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Switching 85V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAW56SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Switching 85V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAW56SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Switching 85V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BAW56SH6327XTSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BAW56SH6327XTSA1 - BAW56 - HIGH-SPEED SWITCHING DIODES tariffCode: 85411000 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAW56SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Switching 85V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BAW56SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Switching 85V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BAW56SH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE ARR GP 80V 200MA SOT363-PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V |
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