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BC817K-16E6327

BC817K-16E6327 Infineon Technologies

INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Frequency - Transition: 170MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
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Technische Details BC817K-16E6327 Infineon Technologies

Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT23, Frequency - Transition: 170MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BC 817K-16 E6327 BC 817K-16 E6327 Infineon Technologies Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.5A
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BC 817K-16 E6327
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Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.5A
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