BC817K-16WH6327 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Frequency - Transition: 170MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
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Technische Details BC817K-16WH6327 Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Frequency - Transition: 170MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BC 817K-16W H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC 817K-16W H6327 |
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF Transistor
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