BC857BWH6327 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
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Technische Details BC857BWH6327 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT323-3, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 250 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BC 857BW H6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC 857BW H6327 |
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
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