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BC 847C E6327

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BC847CE6327 BC847CE6327 Hersteller : Infineon info-tbc847c%20inf.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive BC847CE6327HTSA1 BC847CE6327 INF TBC847c inf
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BC 847C E6327 Hersteller : Infineon Technologies bc846-850_infineon.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
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BC 847C E6327 BC 847C E6327 Hersteller : Infineon Technologies Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A
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BC847CE6327 Hersteller : Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT
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XT30PW-M30.G.Y з'єднувач (Amass)
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XT30PW-M30.G.Y з'єднувач (Amass)
+1
Hersteller: AMASS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Роз'єм живлення жовтий DC. Контакт "тато", корпус "мама". Кількість контактів: 2. На друковану плату горизонтальний 90°. Максимальний струм: 20A. Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Stecker/Buchse: Розетка
Anzahl Kontakte: 2
Серія роз’єма: XT30
Монтаж: на плату
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Produktcode: 107719
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Hersteller: JST
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MEB 1,5nF 100VDC J(+/-5%), P=5mm, 7,2x6,5x2,5mm (MEB152J2AB-Hitano)
Produktcode: 41887
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MEB 1,5nF 100VDC J(+/-5%), P=5mm, 7,2x6,5x2,5mm (MEB152J2AB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 1,5nF
Nennspannung, V: 100VDC
Präzision: ±5% J
Abstand ausg. und Abmessungen: P=5mm, 7,2x6,5x2,5mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MEB152J2AB
ZCODE: 8532 29 00 00
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T3726-100M Toroidal Drossel
Produktcode: 5457
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TOROIDAL.JPG
T3726-100M Toroidal Drossel
Hersteller: Li Tone
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Lineare Filter, Netzfilter, Drosseln auf Torus
Beschreibung: Toroidal Drossel, L=10uH(±20%), die Größe der Torus D=9,53mm, d=5,21mm, h=3,25mm
Karkase: D=9,53mm, d=5,21mm, h=3,25mm
Tor D=9,53mm, d=5,21mm, h=3,25mm
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10+0.64 EUR
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IRFR5305PBF
Produktcode: 2560
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irfr5305pbf.pdf
IRFR5305PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 25
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: SMD
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