Technische Details BC14110 MOT/PHI
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-39, Power - Max: 650 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: TO-39, Frequency - Transition: 50MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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| BC141-10 | STM | Транзистори |
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BC141-10 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-39 Power - Max: 650 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-39 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BC141-10 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT Epitaxial Planar NPN |
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| BC141-10 |
Hersteller: STM
Транзистори
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| BC141-10 |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-39
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-39
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Transistor Type: NPN
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Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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| BC141-10 |
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Epitaxial Planar NPN
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