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BC32740BU

BC32740BU ON Semiconductor

bc327-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details BC32740BU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC32740BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC32740BU BC32740BU Hersteller : ON Semiconductor bc327-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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BC32740BU BC32740BU Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BEB7A0FC3BF41E28&compId=BC327.pdf?ci_sign=9acd1df4a5b98ec6d664cdadb8612d2b0f546651 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 250...630
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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193+0.37 EUR
281+0.25 EUR
536+0.13 EUR
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Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 250...630
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
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BC32740BU BC32740BU Hersteller : onsemi BC327_Oct2014.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
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38+0.48 EUR
60+0.3 EUR
100+0.18 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.093 EUR
10000+0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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BC32740BU BC32740BU Hersteller : onsemi / Fairchild BC327_D-1802684.pdf Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP HFE/250-630
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BC32740BU BC32740BU Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0004903473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC32740BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC32740BU BC32740BU Hersteller : ON Semiconductor bc327jp-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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