BC337-25 A1G Taiwan Semiconductor
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Technische Details BC337-25 A1G Taiwan Semiconductor
Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-92, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 625 mW.
Weitere Produktangebote BC337-25 A1G nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BC337-25 A1G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
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BC337-25 A1G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor |
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BC337-25 A1G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC337-25 A1G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW |
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