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Technische Details BC33716TFR ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 625 mW.
Weitere Produktangebote BC33716TFR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BC33716TFR | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
auf Bestellung 9272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC33716TFR | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin TO-92 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC33716TFR | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW |
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