Technische Details BC394 MOTOROLA
Description: TRANS NPN 180V 0.1A TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V, Power - Max: 400 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BC394 | STMicroelectronics |
 Description: TRANS NPN 180V 0.1A TO18Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 400 mW |
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| BC394 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
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BC394 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage |
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| BC394 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 180V 0.1A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 400 mW
Description: TRANS NPN 180V 0.1A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 10V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 400 mW
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| BC394 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT
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| BC394 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage
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