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Technische Details BC489 CDIL
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 625 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BC489 | onsemi |
 Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW |
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| BC489 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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BC489 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 80V NPN |
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| BC489 |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
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| BC489 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
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| BC489 |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 80V NPN
Bipolar Transistors - BJT 1A 80V NPN
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