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Technische Details BC489 CDIL
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BC489 | onsemi |
 Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk |
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| BC489 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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BC489 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 80V NPN |
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| BC489 |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
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Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 80V NPN
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