BC489A On Semiconductor
Hersteller: On Semiconductor
NPN, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100...250, 0.625Вт, 200МГц, TO-92 Транзистори
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Technische Details BC489A On Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Packaging: Bulk, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Frequency - Transition: 200MHz.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BC489A | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 200MHz |
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| BC489A | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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BC489A | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 80V NPN |
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| BC489A |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 200MHz
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
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Bipolar Transistors - BJT
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Bipolar Transistors - BJT 1A 80V NPN
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