BC547BZL1G ON Semiconductor
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Technische Details BC547BZL1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC547BZL1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universalschere, NPN, 45 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote BC547BZL1G nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BC547BZL1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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BC547BZL1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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BC547BZL1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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BC547BZL1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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BC547BZL1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW |
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| BC547BZL1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 300; hFE = 200 @ 2 мA, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3 |
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| BC547BZL1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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BC547BZL1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC547BZL1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universalschere, NPN, 45 V, 100 mA, 625 mW, TO-92 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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BC547BZL1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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BC547BZL1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW |
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BC547BZL1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO92 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW |
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