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Technische Details BC54PA,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 810mW, Bauform - Transistor: HUSON3, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BC54PA,115 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BC54PA,115 | Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC54PA,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC54PA/SOT1061/HUSON3 |
auf Bestellung 1175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC54PA,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 810mW Bauform - Transistor: HUSON3 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC54PA,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 810mW Bauform - Transistor: HUSON3 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC54PA,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.13 EUR |
| BC54PA,115 |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC54PA/SOT1061/HUSON3
Bipolar Transistors - BJT BC54PA/SOT1061/HUSON3
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.94 EUR |
| 10+ | 0.57 EUR |
| 50+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| BC54PA,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: HUSON3
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: HUSON3
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 255+ | 0.99 EUR |
| 405+ | 0.57 EUR |
| 642+ | 0.33 EUR |
| 855+ | 0.25 EUR |
| 1005+ | 0.21 EUR |
| BC54PA,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: HUSON3
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: HUSON3
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| 255+ | 0.99 EUR |
| 405+ | 0.57 EUR |
| 642+ | 0.33 EUR |
| 855+ | 0.25 EUR |
| 1005+ | 0.21 EUR |