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Technische Details BC54PA,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 810mW, Bauform - Transistor: HUSON3, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BC54PA,115 nach Preis ab 0.084 EUR bis 0.67 EUR
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BC54PA,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R |
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BC54PA,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 1A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW |
auf Bestellung 2276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC54PA,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
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BC54PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 810mW Bauform - Transistor: HUSON3 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC54PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 810mW Bauform - Transistor: HUSON3 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC54PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW Automotive 3-Pin HUSON T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC54PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
BC54PA.115 NPN SMD transistors |
auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC54PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC54PA,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC54PA,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 1A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW |
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