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Technische Details BC55-10PASX Nexperia
Description: TRANS NPN 60V 1A DFN2020D-3, Power - Max: 420 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN2020D-3, Frequency - Transition: 180MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q100, Grade: Automotive.
Weitere Produktangebote BC55-10PASX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BC55-10PASX | Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS NPN 60V 1A DFN2020D-3Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020D-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive |
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BC55-10PASX | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 1A DFN2020D-3 Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020D-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive |
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BC55-10PASX | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN medium power transistors |
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BC55-10PASX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC55-10PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Verlustleistung: 420 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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BC55-10PASX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC55-10PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63 DC-Stromverstärkung hFE: 63 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 420 Bauform - Transistor: DFN2020D Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BC55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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BC55-10PASX | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
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| BC55-10PASX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 1A DFN2020D-3
Power - Max: 420 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Description: TRANS NPN 60V 1A DFN2020D-3
Power - Max: 420 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
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| BC55-10PASX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 1A DFN2020D-3
Power - Max: 420 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Description: TRANS NPN 60V 1A DFN2020D-3
Power - Max: 420 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
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| BC55-10PASX |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN medium power transistors
Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN medium power transistors
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| BC55-10PASX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC55-10PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 420
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BC55-10PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 420
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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| BC55-10PASX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC55-10PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63
DC-Stromverstärkung hFE: 63
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 420
Bauform - Transistor: DFN2020D
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BC55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BC55-10PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63
DC-Stromverstärkung hFE: 63
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 420
Bauform - Transistor: DFN2020D
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BC55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| BC55-10PASX |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R
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