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BC556ATA

BC556ATA ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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Technische Details BC556ATA ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 500 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC556ATA BC556ATA ON Semiconductor bc556btad.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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BC556ATA BC556ATA onsemi BC556BTA-D.PDF Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
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BC556ATA BC556ATA onsemi BC556BTA-D.PDF Bipolar Transistors - BJT PNP -65V -100mA HFE/220
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BC556ATA BC556ATA onsemi BC556BTA-D.PDF Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
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Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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