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BC556BTF

BC556BTF ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
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Technische Details BC556BTF ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC556BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC556BTF BC556BTF ON Semiconductor bc556bta-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
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BC556BTF BC556BTF ON Semiconductor bc556bta-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
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BC556BTF BC556BTF ON Semiconductor bc556bta-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
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Mindestbestellmenge: 8646
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BC556BTF BC556BTF onsemi BC556BTA-D.PDF Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 94000 Stücke:
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2000+0.087 EUR
4000+0.078 EUR
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BC556BTF BC556BTF ON Semiconductor bc556bta-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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BC556BTF BC556BTF ONSEMI BC556BTA-D.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.5W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92 Formed
Current gain: 200...450
Mounting: THT
Frequency: 150MHz
Kind of package: reel; tape
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278+0.26 EUR
407+0.18 EUR
599+0.12 EUR
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1021+0.07 EUR
1180+0.061 EUR
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BC556BTF BC556BTF onsemi BC556BTA-D.PDF Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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11+0.26 EUR
100+0.16 EUR
500+0.12 EUR
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BC556BTF BC556BTF onsemi BC556BTA-D.PDF Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 97344 Stücke:
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69+0.26 EUR
111+0.16 EUR
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BC556BTF BC556BTF ONSEMI ONSM-S-A0014076035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC556BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC556BTF
Hersteller: ON Semiconductor
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BC556BTF
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
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16000+0.045 EUR
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BC556BTF
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
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Anzahl Preis
8646+0.063 EUR
10000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 8646
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BC556BTF
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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BC556BTF
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Anzahl Preis
2000+0.091 EUR
6000+0.083 EUR
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BC556BTF
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.5W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92 Formed
Current gain: 200...450
Mounting: THT
Frequency: 150MHz
Kind of package: reel; tape
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407+0.18 EUR
599+0.12 EUR
708+0.1 EUR
1021+0.07 EUR
1180+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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BC556BTF
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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11+0.26 EUR
100+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
2000+0.086 EUR
4000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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BC556BTF
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 97344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+0.42 EUR
69+0.26 EUR
111+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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BC556BTF ONSM-S-A0014076035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC556BTF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC556BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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