BC558C Vishay
Produktcode: 32791
1
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
U, V: 30
U, V: 30
I, А: 0.1
h21,max: 800
ZCODE: 8541 21 00 90
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Weitere Produktangebote BC558C nach Preis ab 0.016 EUR bis 0.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC558C | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 500mW; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Current gain: 400 Mounting: THT Frequency: 150MHz Kind of package: Ammo Pack |
auf Bestellung 3547 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC558C | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC558C | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC558C | ZEHUA |
Transistor PNP; 800; 500mW; 30V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC558CBU; BC558C-DIO; BC558C-LGE; BC558C-CDI; BC558C ZEHUA TBC558c ZEHAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BC558C | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 3547 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC558C | onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC558C | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.625W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 420...800 Mounting: THT Frequency: 150MHz |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC558C | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 30V, 100mA, PNP |
auf Bestellung 11747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC558C | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-92Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
auf Bestellung 1159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC558C | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC558C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BC558C | Diotec Semiconductor |
Транзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 500, hFE = 420/800 @ 2 мА, Р, Вт = 500 Вт, Тип монт. = вивідний, AMMO PACK,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
verfügbar 50 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC558C |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 500mW; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Current gain: 400
Mounting: THT
Frequency: 150MHz
Kind of package: Ammo Pack
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 500mW; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Current gain: 400
Mounting: THT
Frequency: 150MHz
Kind of package: Ammo Pack
auf Bestellung 3547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 625+ | 0.11 EUR |
| 705+ | 0.1 EUR |
| 1097+ | 0.065 EUR |
| 1634+ | 0.044 EUR |
| 1977+ | 0.036 EUR |
| 2348+ | 0.03 EUR |
| BC558C |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9010+ | 0.016 EUR |
| BC558C |
![]() |
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9010+ | 0.016 EUR |
| BC558C |
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Hersteller: ZEHUA
Transistor PNP; 800; 500mW; 30V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC558CBU; BC558C-DIO; BC558C-LGE; BC558C-CDI; BC558C ZEHUA TBC558c ZEH
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor PNP; 800; 500mW; 30V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC558CBU; BC558C-DIO; BC558C-LGE; BC558C-CDI; BC558C ZEHUA TBC558c ZEH
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.051 EUR |
| BC558C |
![]() |
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2440+ | 0.059 EUR |
| 2907+ | 0.049 EUR |
| BC558C |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7869+ | 0.06 EUR |
| BC558C |
![]() |
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 420...800
Mounting: THT
Frequency: 150MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 420...800
Mounting: THT
Frequency: 150MHz
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 0.089 EUR |
| BC558C |
![]() |
Hersteller: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 30V, 100mA, PNP
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 30V, 100mA, PNP
auf Bestellung 11747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 0.2 EUR |
| 23+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.083 EUR |
| 500+ | 0.06 EUR |
| 1000+ | 0.048 EUR |
| 4000+ | 0.046 EUR |
| 8000+ | 0.035 EUR |
| BC558C |
![]() |
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 1159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 84+ | 0.21 EUR |
| 134+ | 0.13 EUR |
| 217+ | 0.081 EUR |
| 500+ | 0.059 EUR |
| 1000+ | 0.051 EUR |
| BC558C |
![]() |
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC558C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC558C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC558C |
![]() |
Hersteller: Diotec Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 500, hFE = 420/800 @ 2 мА, Р, Вт = 500 Вт, Тип монт. = вивідний, AMMO PACK,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Транзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 500, hFE = 420/800 @ 2 мА, Р, Вт = 500 Вт, Тип монт. = вивідний, AMMO PACK,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 50 Stücke:
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| BC548B (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 31209
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 30
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 30
Ucbo,V: 30
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: THT
verfügbar: 2527 St.
- 140 St. - stock Köln
- 2387 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.036 EUR |
| 100+ | 0.023 EUR |
| BD140 Produktcode: 15292
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|
![]() |
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1515 St.
- 104 St. - stock Köln
- 1411 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.14 EUR |
| 10+ | 0.12 EUR |
| SS16 Produktcode: 16411
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: DC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 60
If(A): 1
VF@IF: 0,7
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
№ 7: 8541 10 00 90
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 60
If(A): 1
VF@IF: 0,7
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
№ 7: 8541 10 00 90
auf Bestellung 20 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.06 EUR |
| 10+ | 0.048 EUR |
| 100+ | 0.034 EUR |
| 1000+ | 0.022 EUR |
| LM393N Produktcode: 193191
3
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|
![]() |
Hersteller: HGSEMI
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Количество каналов: 2. Uпит: В: 5…30. Время отклика: 300ns. Тип выхода: open-collector. Ток смещения lIO: 5nA
Udss,V: 5...30 V
Id,A: 0.006 A
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Количество каналов: 2. Uпит: В: 5…30. Время отклика: 300ns. Тип выхода: open-collector. Ток смещения lIO: 5nA
Udss,V: 5...30 V
Id,A: 0.006 A
auf Bestellung 184 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Силіконовий провід 24AWG (0.2mm² 40/0.08TS) синій Produktcode: 204102
5
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|
Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
Група: Провід монтажний
Розріз, мм.кв: 0,2 mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: синій
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500В, зовнішній діаметр:~1,6мм, робоча температура: -50...200°C.
Група: Провід монтажний
Розріз, мм.кв: 0,2 mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: синій
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500В, зовнішній діаметр:~1,6мм, робоча температура: -50...200°C.
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 16000 m
- 16000 m - erwartet 02.09.2026











