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BC55PA-QX

BC55PA-QX Nexperia USA Inc.

BC55PA-Q_SER.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: BC55PA-Q/SOT1061/HUSON3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BC55PA-QX Nexperia USA Inc.

Description: BC55PA-Q/SOT1061/HUSON3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 420 mW, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC55PA-QX BC55PA-QX Nexperia BC55PA-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BC55PA-Q/SOT1061/HUSON3
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10+0.99 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
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