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BC56-16PA-7

BC56-16PA-7 Diodes Zetex

655bc56_16pa.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 80V 1A 520mW 3-Pin UDFN EP T/R
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Technische Details BC56-16PA-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC56-16PA-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 520 mW, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520mW, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote BC56-16PA-7 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.86 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC56-16PA-7 BC56-16PA-7 Hersteller : Diodes Incorporated BC56_16PA.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A U-DFN2020-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 520 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
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30000+0.14 EUR
75000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BC56-16PA-7 BC56-16PA-7 Hersteller : Diodes Incorporated BC56_16PA.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 80V Med PWR Trans 1A Ic 2A Icm
auf Bestellung 9598 Stücke:
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4+0.74 EUR
10+0.49 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BC56-16PA-7 BC56-16PA-7 Hersteller : Diodes Incorporated BC56_16PA.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A U-DFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 520 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 102208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+0.86 EUR
34+0.53 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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BC56-16PA-7 BC56-16PA-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833154-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC56-16PA-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 520 mW, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC56-16PA-7 BC56-16PA-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833154-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC56-16PA-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 520 mW, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC56-16PA-7 Hersteller : Diodes Inc 655bc56_16pa.pdf NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR
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BC56-16PA-7 BC56-16PA-7 Hersteller : Diodes Zetex 655bc56_16pa.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 520mW 3-Pin UDFN EP T/R
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BC56-16PA-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED BC56_16PA.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 520mW; U-DFN2020-3
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Case: U-DFN2020-3
Power dissipation: 0.52W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 125MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 25...250
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BC56-16PA-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED BC56_16PA.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 520mW; U-DFN2020-3
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Case: U-DFN2020-3
Power dissipation: 0.52W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 125MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 25...250
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