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BC56-16PA-7

BC56-16PA-7 Diodes Zetex

655bc56_16pa.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 80V 1A 520mW 3-Pin UDFN EP T/R
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Technische Details BC56-16PA-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC56-16PA-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 520 mW, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520mW, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BC56-16PA-7 BC56-16PA-7 Hersteller : Diodes Zetex 655bc56_16pa.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 520mW 3-Pin UDFN EP T/R
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BC56-16PA-7 BC56-16PA-7 Hersteller : Diodes Incorporated BC56_16PA.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 520 mW
Qualification: AEC-Q101
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BC56-16PA-7 BC56-16PA-7 Hersteller : Diodes Incorporated BC56_16PA.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 520 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BC56-16PA-7 BC56-16PA-7 Hersteller : Diodes Incorporated BC56_16PA.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 80V Med PWR Trans 1A Ic 2A Icm
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BC56-16PA-7 BC56-16PA-7 Hersteller : DIODES INC. BC56_16PA.pdf Description: DIODES INC. - BC56-16PA-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 520 mW, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC56-16PA-7 BC56-16PA-7 Hersteller : DIODES INC. BC56_16PA.pdf Description: DIODES INC. - BC56-16PA-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 520 mW, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC56-16PA-7 Hersteller : Diodes Inc 655bc56_16pa.pdf NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR
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