BC56-16PA-7 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC56-16PA-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 520 mW, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details BC56-16PA-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC56-16PA-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 520 mW, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520mW, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BC56-16PA-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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BC56-16PA-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC56-16PA-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 520 mW, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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BC56-16PA-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 520mW 3-Pin UDFN EP T/R |
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BC56-16PA-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 80V 1A U-DFN2020-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 520 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BC56-16PA-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 80V 1A U-DFN2020-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 520 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BC56-16PA-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V Med PWR Trans 1A Ic 2A Icm |
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| BC56-16PA-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 520mW; U-DFN2020-3 Mounting: SMD Collector current: 1A Power dissipation: 0.52W Pulsed collector current: 2A Current gain: 25...250 Collector-emitter voltage: 80V Quantity in set/package: 3000pcs. Frequency: 125MHz Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: U-DFN2020-3 Type of transistor: NPN |
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