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BC560C LGE

bc556bta-d.pdf Hersteller: LGE
PNP 100mA 30V 500mW 150MHz 420 < beta < 800 Low Noise BC560C TBC560c
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Technische Details BC560C LGE

Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 625 mW.

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BC560C Hersteller : LGE bc556bta-d.pdf PNP 100mA 30V 500mW 150MHz 420 < beta < 800 Low Noise BC560C TBC560c
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BC560C Hersteller : ZEHUA bc556bta-d.pdf Transistor PNP; 800; 500mW; 45V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC560CBU; BC560CG; BC560C ZEHUA TBC560c ZEH
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BC560C Hersteller : JSMicro Semiconductor bc556bta-d.pdf Transistor PNP; 800; 625mW; 45V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC560CBU; BC560CG; BC560C JSMICRO TBC560c JSM
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BC560C
Produktcode: 162667
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BC560C BC560C Hersteller : onsemi bc556bta-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
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BC560C BC560C Hersteller : onsemi BC560C-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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