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Technische Details BC56PA,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC56PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.65W, Bauform - Transistor: SOT-1061, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC56PA, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BC56PA,115 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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BC56PA,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 420 mW |
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BC56PA,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors |
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BC56PA,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 420 mW |
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BC56PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC56PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.65W Bauform - Transistor: SOT-1061 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC56PA Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BC56PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW Automotive 3-Pin HUSON T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC56PA,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R |
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| BC56PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.65W; DFN2020-3,SOT1061 Mounting: SMD Collector current: 1A Type of transistor: NPN Case: DFN2020-3; SOT1061 Power dissipation: 1.65W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 63...250 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| BC56PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.65W; DFN2020-3,SOT1061 Mounting: SMD Collector current: 1A Type of transistor: NPN Case: DFN2020-3; SOT1061 Power dissipation: 1.65W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 63...250 |
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