BC807-16QB-QZ Nexperia
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12932+ | 0.042 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BC807-16QB-QZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC807-16QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807QB-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BC807-16QB-QZ nach Preis ab 0.053 EUR bis 0.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC807-16QB-QZ | Hersteller : Nexperia |
 Bipolar Transistors - BJT 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors |
auf Bestellung 14830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BC807-16QB-QZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC807-16QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807QB-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
BC807-16QB-QZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC807-16QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807QB-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
BC807-16QB-QZ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
| BC807-16QB-QZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 3778 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| BC807-16QB-QZ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin DFN-D T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
| BC807-16QB-QZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |