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BC807-16QCH-QZ

BC807-16QCH-QZ Nexperia USA Inc.

BC807QCH-Q_SER.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 455 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.088 EUR
10000+0.079 EUR
15000+0.075 EUR
25000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Technische Details BC807-16QCH-QZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC807-16QCH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 575 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 575mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 575mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe BC807QCH-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote BC807-16QCH-QZ nach Preis ab 0.058 EUR bis 0.61 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC807-16QCH-QZ BC807-16QCH-QZ Nexperia bc807qch-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 575mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4336+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4336 Stücke
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BC807-16QCH-QZ BC807-16QCH-QZ Nexperia USA Inc. BC807QCH-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 455 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
72+0.3 EUR
115+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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BC807-16QCH-QZ BC807-16QCH-QZ NEXPERIA 3679915.pdf Description: NEXPERIA - BC807-16QCH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 575 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 575mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 575mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC807QCH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
472+0.54 EUR
599+0.39 EUR
1053+0.2 EUR
1450+0.14 EUR
2381+0.09 EUR
5000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC807-16QCH-QZ BC807-16QCH-QZ NEXPERIA 3679915.pdf Description: NEXPERIA - BC807-16QCH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 575 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 575mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC807QCH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
472+0.54 EUR
599+0.39 EUR
1053+0.2 EUR
1450+0.14 EUR
2381+0.09 EUR
5000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
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BC807-16QCH-QZ BC807-16QCH-QZ Nexperia BC807QCH-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BC807-16QCH-Q/SOT8009/DFN1412D
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BC807-16QCH-QZ
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 575mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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BC807-16QCH-QZ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
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Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 455 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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BC807-16QCH-QZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-16QCH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 575 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 575mW
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Verlustleistung: 575mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC807QCH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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599+0.39 EUR
1053+0.2 EUR
1450+0.14 EUR
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BC807-16QCH-QZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-16QCH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 575 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC807QCH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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AnzahlPrivatkunde
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599+0.39 EUR
1053+0.2 EUR
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Bipolar Transistors - BJT BC807-16QCH-Q/SOT8009/DFN1412D
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6+0.61 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
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