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BC807,215

BC807,215 Nexperia

bc807_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC807,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC807,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BC807,215 BC807,215 Hersteller : Nexperia bc807_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807,215 BC807,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC807_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
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BC807,215 BC807,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE794D09FEDC9BAC747&compId=BC807_BC807W_BC327.pdf?ci_sign=dc865bbe9358ea09de6f87252d91b75186728028 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 345mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 345mW
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5872 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
725+0.10 EUR
1055+0.07 EUR
1254+0.06 EUR
1894+0.04 EUR
2942+0.02 EUR
3106+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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BC807,215 BC807,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE794D09FEDC9BAC747&compId=BC807_BC807W_BC327.pdf?ci_sign=dc865bbe9358ea09de6f87252d91b75186728028 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 345mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 345mW
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 1A
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Produktcode: 59751
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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BC807,215 BC807,215 Hersteller : Nexperia BC807_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
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3000+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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BC807,215 BC807,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC807_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
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120+0.15 EUR
194+0.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 72
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BC807,215 BC807,215 Hersteller : NEXPERIA BC807_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC807,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3425 Stücke:
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BC807,215 BC807,215 Hersteller : NEXPERIA BC807_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC807,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3425 Stücke:
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BC807,215 BC807,215 Hersteller : NEXPERIA bc807_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807,215 BC807,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002885738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC807,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BC807,215 Hersteller : NXP BC807_SER.pdf Transistor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC817; BC807,215; BC807,215 TBC807
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BC807,215 Hersteller : NXP SEMICONDUTORS BC807_SER.pdf PNP , общего применения, 45 В, SOT23
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Anzahl Preis
125+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 125
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BC807,215 Hersteller : Nexperia BC807_SER.pdf Транз. Бипол. ММ PNP SOT23-3 Uceo=-45V; Ic=-0,5A; f=80MHz; Pdmax=0,25W
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.99 EUR
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BC807,215 Hersteller : NXP BC807_SER.pdf Transistor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC817; BC807,215; BC807,215 TBC807
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BC807,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En BC807_SER.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 0,25; Uceo, В = 45; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 80; hFE = 100 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-23-3
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BC807,215 BC807,215 Hersteller : Nexperia bc807_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807,215 BC807,215 Hersteller : Nexperia bc807_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW 3-Pin SOT-23 T/R
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