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BC807-25,215

BC807-25,215 NXP Semiconductors

bc807_ser.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC807-25,215 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA - BC807-25,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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BC807-25,215 BC807-25,215 Hersteller : NXP Semiconductors bc807_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-25,215 BC807-25,215 Hersteller : NXP Semiconductors bc807_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-25,215 BC807-25,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC807_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO-236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
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BC807-25,215 BC807-25,215 Hersteller : Nexperia BC807_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BC807-25/SOT23/TO-236AB
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BC807-25,215 BC807-25,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE794D09FEDC9BAC747&compId=BC807_BC807W_BC327.pdf?ci_sign=dc865bbe9358ea09de6f87252d91b75186728028 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 345mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Power dissipation: 345mW
Pulsed collector current: 1A
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Mindestbestellmenge: 228
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BC807-25,215 BC807-25,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE794D09FEDC9BAC747&compId=BC807_BC807W_BC327.pdf?ci_sign=dc865bbe9358ea09de6f87252d91b75186728028 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 345mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Power dissipation: 345mW
Pulsed collector current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BC807-25,215 BC807-25,215 Hersteller : NEXPERIA BC807_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC807-25,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BC807-25,215 BC807-25,215 Hersteller : NEXPERIA BC807_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC807-25,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BC807-25,215 BC807-25,215 Hersteller : NEXPERIA bc807_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-25,215 Hersteller : NXP BC807_SER.pdf PNP 500mA 45V 250mW 100MHz 160 < beta < 400 BC807-25LT1G BC807-25 smd NEXPERIA TBC80725
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Anzahl Preis
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BC807-25,215 BC807_SER.pdf BC807-25,215 Транзисторы
auf Bestellung 51244 Stücke:
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BC807-25,215 BC807_SER.pdf BC807-25,215 Транзисторы
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BC807-25,215 BC807_SER.pdf BC807-25,215 Транзисторы
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BC807-25,215 Hersteller : NEXPERIA BC807_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC807-25,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 758496 Stücke:
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BC807-25,215 BC807-25,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC807_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
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BC807-25,215 BC807-25,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC807_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
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