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BC 807-25 E6327

BC 807-25 E6327 Infineon Technologies

bc807series_bc808series.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC 807-25 E6327 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 45V 0.5A PG-SOT23-3-11, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 330 mW.

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BC 807-25 E6327 BC 807-25 E6327 Hersteller : Infineon Technologies bc807series_bc808series.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BC 807-25 E6327 BC 807-25 E6327 Hersteller : Infineon Technologies bc807series_bc808series.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-25E6327 BC807-25E6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS11647-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 45V 0.5A PG-SOT23-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
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BC80725E6327 BC80725E6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS11647-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 45V 0.5A PG-SOT23-3-11
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
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BC807-25E6327 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS11647-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC807-25E6327 - BC807 BIPOLAR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
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BC80725E6327 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS11647-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC80725E6327 - BC807 BIPOLAR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC 807-25 E6327 BC 807-25 E6327 Hersteller : Infineon Technologies bc807series_bc808series.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BC 807-25 E6327 BC 807-25 E6327 Hersteller : Infineon Technologies bc807series_bc808series.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
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BC 807-25 E6327 BC 807-25 E6327 Hersteller : Infineon Technologies bc807series_bc808series.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
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BC 807-25 E6327 BC 807-25 E6327 Hersteller : Infineon Technologies bc807series_bc808series-89220.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 45 V 500 mA
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