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BC807-25LT1G

BC807-25LT1G ON Semiconductor

bc807-16lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC807-25LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC807-25LT1G BC807-25LT1G ON Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-25LT1G BC807-25LT1G ON Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-25LT1G BC807-25LT1G ON Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-25LT1G BC807-25LT1G ON Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-25LT1G BC807-25LT1G onsemi BC807-16LT1-D.PDF Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
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BC807-25LT1G BC807-25LT1G ON Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-25LT1G BC807-25LT1G onsemi BC807-16LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V PNP
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BC807-25LT1G BC807-25LT1G ONSEMI 1575992.pdf Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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1534+0.15 EUR
2110+0.1 EUR
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BC807-25LT1G BC807-25LT1G ONSEMI 1575992.pdf Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC807-25LT1G BC807-25LT1G ONSEMI BC807-xxL.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
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Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-25LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V PNP
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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1534+0.15 EUR
2110+0.1 EUR
2874+0.075 EUR
3509+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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BC807-25LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH