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BC807-25WT1G

BC807-25WT1G ON Semiconductor

bc807-25w-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BC807-25WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC807-25WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC807-25WT1G BC807-25WT1G Hersteller : ON Semiconductor bc807-25w-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC807-25WT1G BC807-25WT1G Hersteller : ON Semiconductor bc807-25w-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC807-25WT1G BC807-25WT1G Hersteller : onsemi bc807-25w-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
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BC807-25WT1G BC807-25WT1G Hersteller : ON Semiconductor bc807-25w-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
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3485+0.04 EUR
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3585+0.036 EUR
3664+0.034 EUR
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BC807-25WT1G BC807-25WT1G Hersteller : ONSEMI bc807-25w-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
455+0.16 EUR
610+0.12 EUR
747+0.096 EUR
1208+0.059 EUR
1462+0.049 EUR
1626+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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BC807-25WT1G BC807-25WT1G Hersteller : ONSEMI bc807-25w-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.46W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.46W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC807-25WT1G BC807-25WT1G Hersteller : onsemi BC807_25W_D-1802212.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 45V
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3000+0.051 EUR
6000+0.049 EUR
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BC807-25WT1G BC807-25WT1G Hersteller : onsemi bc807-25w-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
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BC807-25WT1G BC807-25WT1G Hersteller : ON Semiconductor bc807-25w-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC807-25WT1G BC807-25WT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014908647-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC807-25WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2625 Stücke:
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