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BC807-40,215

BC807-40,215 NXP

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Hersteller: NXP
SOT-23 Транзистори
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Technische Details BC807-40,215 NXP

Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 250 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC807-40,215 BC807-40,215 Nexperia bc807_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-40,215 BC807-40,215 NXP info-tbc80725.pdf Transistor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC807-40,235; BC807-40,215; (BC807-40/DG/B4R); BC807-40 smd; BC807-40,215 TBC80740
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BC807-40,215 BC807-40,215 NXP info-tbc80725.pdf Transistor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC807-40,235; BC807-40,215; (BC807-40/DG/B4R); BC807-40 smd; BC807-40,215 TBC80740
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BC807-40,215 BC807-40,215 NXP info-tbc80725.pdf Transistor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC807-40,235; BC807-40,215; (BC807-40/DG/B4R); BC807-40 smd; BC807-40,215 TBC80740
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BC807-40,215 BC807-40,215 NXP info-tbc80725.pdf Transistor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC807-40,235; BC807-40,215; (BC807-40/DG/B4R); BC807-40 smd; BC807-40,215 TBC80740
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BC807-40,215 BC807-40,215 Nexperia bc807_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-40,215 NXP SEMICONDUTORS BC807_SER.pdf PNP, 45 В, 500 мА, 250 мВт, hFE=250 80MHz SOT23, Pb-Free
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BC807-40,215 NXP/Nexperia/We-En BC807_BC807W_BC327.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 250, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -40...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Transistor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC807-40,235; BC807-40,215; (BC807-40/DG/B4R); BC807-40 smd; BC807-40,215 TBC80740
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Transistor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC807-40,235; BC807-40,215; (BC807-40/DG/B4R); BC807-40 smd; BC807-40,215 TBC80740
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Transistor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC807-40,235; BC807-40,215; (BC807-40/DG/B4R); BC807-40 smd; BC807-40,215 TBC80740
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Transistor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC807-40,235; BC807-40,215; (BC807-40/DG/B4R); BC807-40 smd; BC807-40,215 TBC80740
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PNP, 45 В, 500 мА, 250 мВт, hFE=250 80MHz SOT23, Pb-Free
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Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, ft, МГц = 250, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -40...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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