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BC807-40,235

BC807-40,235 Nexperia USA Inc.

BC807_SER.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 5946 Stücke:
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AnzahlPreis
91+0.19 EUR
148+0.12 EUR
241+0.073 EUR
500+0.053 EUR
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Technische Details BC807-40,235 Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 250 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BC807-40,235 BC807-40,235 Nexperia bc807_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2963 Stücke:
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BC807-40,235 BC807_SER.pdf BC807-40,235 Транзисторы
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BC807-40,235 NXP/Nexperia/We-En BC807_BC807W_BC327_Philips.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, VCEO, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 80, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, VCEO(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
verfügbar 727 Stücke:
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BC807-40,235 bc807_ser.pdf
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, VCEO, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 80, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, VCEO(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
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