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BC807-40-7-F

BC807-40-7-F Diodes Zetex

bc80740.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC807-40-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC807-40-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BC807-40-7-F BC807-40-7-F Diodes Zetex bc80740.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-40-7-F BC807-40-7-F Diodes Incorporated BC807-16_-25_-40.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
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BC807-40-7-F BC807-40-7-F Diodes Incorporated BC807-16_-25_-40.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 310 mW
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73+0.24 EUR
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BC807-40-7-F BC807-40-7-F Diodes Zetex bc80740.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-40-7-F Diodes INC. BC807-16_-25_-40.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
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Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
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Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 500, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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