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BC807-40LT1G

BC807-40LT1G ON Semiconductor

bc807-16lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC807-40LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BC807-40LT1G BC807-40LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-40LT1G BC807-40LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-40LT1G BC807-40LT1G Hersteller : onsemi bc807-16lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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BC807-40LT1G BC807-40LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999D2FDE892C0B820&compId=BC807-xxL.pdf?ci_sign=369718e845cd41955b4cea07c403ea15e81c2c56 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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556+0.13 EUR
834+0.086 EUR
1021+0.07 EUR
1359+0.053 EUR
1667+0.043 EUR
2017+0.035 EUR
3572+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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BC807-40LT1G BC807-40LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999D2FDE892C0B820&compId=BC807-xxL.pdf?ci_sign=369718e845cd41955b4cea07c403ea15e81c2c56 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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834+0.086 EUR
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1359+0.053 EUR
1667+0.043 EUR
2017+0.035 EUR
3572+0.02 EUR
3760+0.019 EUR
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BC807-40LT1G BC807-40LT1G Hersteller : onsemi BC807_16LT1_D-1802278.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V PNP
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25+0.12 EUR
100+0.072 EUR
500+0.058 EUR
1000+0.048 EUR
3000+0.04 EUR
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BC807-40LT1G BC807-40LT1G Hersteller : onsemi bc807-16lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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BC807-40LT1G BC807-40LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC807-40LT1G BC807-40LT1G Hersteller : ONSEMI 2237009.pdf Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC807-40LT1G BC807-40LT1G Hersteller : ONSEMI 2237009.pdf Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC807-40LT1G BC807-40LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 225000 Stücke:
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BC807-40LT1G bc807-16lt1-d.pdf BC807-40LT1G Транзисторы
auf Bestellung 5120 Stücke:
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BC807-40LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc807-16lt1-d.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 45; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 250 @ 100 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
auf Bestellung 105 Stücke:
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BC807-40LT1G BC807-40LT1G
Produktcode: 63290
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