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BC807-40QC-QZ

BC807-40QC-QZ Nexperia USA Inc.

BC807QC-Q_SER.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 380 mW
Qualification: AEC-Q100
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Technische Details BC807-40QC-QZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC807-40QC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 480mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1412D, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807QC-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC807-40QC-QZ BC807-40QC-QZ Nexperia BC807QC-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BC807-40QC-Q/SOT8009/DFN1412D-
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BC807-40QC-QZ BC807-40QC-QZ NEXPERIA 3388610.pdf Description: NEXPERIA - BC807-40QC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 480mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807QC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
314+0.8 EUR
550+0.42 EUR
901+0.24 EUR
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Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC807-40QC-Q/SOT8009/DFN1412D-
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-40QC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 480mW
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Bauform - Transistor: DFN1412D
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Produktpalette: BC807QC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: NEXPERIA - BC807-40QC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 480mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 500mA
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Produktpalette: BC807QC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
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