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BC807K-40VL

BC807K-40VL Nexperia USA Inc.

BC807K_SER.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: BC807K-40/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Technische Details BC807K-40VL Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC807K-40VL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 600 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC807K, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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BC807K-40VL BC807K-40VL Hersteller : Nexperia USA Inc. BC807K_SER.pdf Description: BC807K-40/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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BC807K-40VL BC807K-40VL Hersteller : Nexperia BC807K_SER-1545522.pdf Bipolar Transistors - BJT BC807K-40/SOT23/TO-236AB
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135+ 0.39 EUR
323+ 0.16 EUR
1000+ 0.096 EUR
2500+ 0.088 EUR
10000+ 0.068 EUR
20000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 90
BC807K-40VL BC807K-40VL Hersteller : NEXPERIA BC807K_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC807K-40VL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 600 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807K
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC807K-40VL BC807K-40VL Hersteller : NEXPERIA BC807K_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC807K-40VL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 600 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC807K
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC807K-40VL Hersteller : NEXPERIA BC807K_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC807K-40VL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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