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BC807RAZ

BC807RAZ Nexperia


bc807ra.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 500mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC807RAZ Nexperia

Description: BC807RA/SOT1268/DFN1412-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: DFN1412-6, Part Status: Active.

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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1412-6
Part Status: Active
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Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
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