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BC807W,115

BC807W,115 Nexperia

bc807w_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 290mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BC807W,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC807W,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BC807W,115 BC807W,115 Hersteller : Nexperia bc807w_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 290mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC807W,115 BC807W,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC807W_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
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BC807W,115 BC807W,115 Hersteller : Nexperia bc807w_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 290mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC807W,115 BC807W,115 Hersteller : NEXPERIA BC807W_SER.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
417+0.17 EUR
705+0.10 EUR
1051+0.07 EUR
1263+0.06 EUR
2558+0.03 EUR
3000+0.02 EUR
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BC807W,115 BC807W,115 Hersteller : NEXPERIA BC807W_SER.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
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BC807W,115 BC807W,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC807W_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
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115+0.15 EUR
187+0.10 EUR
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1000+0.06 EUR
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BC807W,115
Produktcode: 209299
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BC807W_SER.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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BC807W,115 BC807W,115 Hersteller : Nexperia BC807W_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
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18+0.16 EUR
100+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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BC807W,115 BC807W,115 Hersteller : Nexperia bc807w_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 290mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC807W,115 BC807W,115 Hersteller : NEXPERIA BC807W_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC807W,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1543 Stücke:
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BC807W,115 BC807W,115 Hersteller : NEXPERIA BC807W_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC807W,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BC807W,115 BC807W,115 Hersteller : NEXPERIA bc807w_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 290mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
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BC807W,115 Hersteller : Nexperia BC807W_SER.pdf Транз. Бипол. ММ PNP SOT323 Uceo=-45V; Ic=-0,5A; f=80MHz; Pdmax=0,2W; hfe=100/600
auf Bestellung 1377 Stücke:
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1+0.10 EUR
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BC807W,115 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En BC807W_SER.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 0,2; Uceo, В = 45; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 80; hFE = 100 @ 100 мА, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-323
auf Bestellung 535 Stücke:
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