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BC808-25LT1G
BC808-25LT1G
BC808-25LT1GBC808-25LT1G

BC808-25LT1G ONSEMI

BC808-25LT1-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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Technische Details BC808-25LT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC808-25LT1G BC808-25LT1G ON Semiconductor bc80825lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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30000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3345 Stücke
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G ON Semiconductor bc80825lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 64181 Stücke:
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2986+0.057 EUR
3049+0.055 EUR
3116+0.051 EUR
3195+0.048 EUR
3268+0.045 EUR
3345+0.042 EUR
3425+0.04 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 2916 Stücke
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G onsemi BC808-25LT1-D.PDF Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.063 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G onsemi BC808-25LT1-D.PDF Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
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67+0.31 EUR
109+0.19 EUR
176+0.12 EUR
500+0.087 EUR
1000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G onsemi BC808-25LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V PNP
auf Bestellung 47861 Stücke:
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10+0.32 EUR
16+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G ONSEMI 2355025.pdf Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 22575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+0.4 EUR
1132+0.2 EUR
1698+0.13 EUR
2342+0.092 EUR
2667+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G ONSEMI 2355025.pdf Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G ON Semiconductor bc80825lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC808-25LT1G bc80825lt1d.pdf
BC808-25LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 64181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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3425+0.051 EUR
6000+0.049 EUR
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30000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3345 Stücke
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BC808-25LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 64181 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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BC808-25LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
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Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.063 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC808-25LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
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AnzahlPrivatkunde
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176+0.12 EUR
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BC808-25LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V PNP
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AnzahlPrivatkunde
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16+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.096 EUR
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BC808-25LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
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Wandlerpolarität: PNP
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 22575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
625+0.4 EUR
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BC808-25LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 22575 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
625+0.4 EUR
1132+0.2 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC808-25LT1G bc80825lt1d.pdf
BC808-25LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 309 Stücke:
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