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BC808-25LT1G ONSEMI

bc808-25lt1-d.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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Technische Details BC808-25LT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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BC808-25LT1G
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 		BC808-25LT1G Hersteller : ONSEMI bc808-25lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : onsemi bc808-25lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2054+0.076 EUR
3031+ 0.05 EUR
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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592+0.25 EUR
593+ 0.22 EUR
1000+ 0.21 EUR
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1000+ 0.24 EUR
15000+ 0.23 EUR
30000+ 0.22 EUR
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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601+0.26 EUR
917+ 0.16 EUR
2054+ 0.071 EUR
3031+ 0.046 EUR
3485+ 0.038 EUR
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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604+0.26 EUR
921+ 0.16 EUR
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3746+ 0.036 EUR
9000+ 0.025 EUR
24000+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 604
BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : onsemi bc808-25lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
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56+0.32 EUR
81+ 0.27 EUR
150+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.08 EUR
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : onsemi BC808_25LT1_D-2310031.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V PNP
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181+ 0.29 EUR
378+ 0.14 EUR
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3000+ 0.07 EUR
9000+ 0.052 EUR
45000+ 0.047 EUR
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ONSEMI 2355025.pdf Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ONSEMI 2355025.pdf Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 27794 Stücke:
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BC808-25LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0002315035-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 374980 Stücke:
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BC808-25LT1G BC808-25LT1G Hersteller : ON Semiconductor bc808-25lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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