

BC808-25LT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 417+ | 0.17 EUR |
| 589+ | 0.12 EUR |
| 863+ | 0.083 EUR |
| 1021+ | 0.07 EUR |
| 1489+ | 0.048 EUR |
| 1725+ | 0.041 EUR |
| 1873+ | 0.038 EUR |
| 3000+ | 0.033 EUR |
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Technische Details BC808-25LT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC808-25LT1G nach Preis ab 0.024 EUR bis 0.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BC808-25LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC808-25LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 339000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC808-25LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 64181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC808-25LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 64181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC808-25LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 100MHz Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC808-25LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3Power - Max: 300 mW Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V |
auf Bestellung 41541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC808-25LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V PNP |
auf Bestellung 25575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC808-25LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BC808-25LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 38280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BC808-25LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 38280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC808-25LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18293+ | 0.03 EUR |
| BC808-25LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 339000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18293+ | 0.03 EUR |
| 100000+ | 0.024 EUR |
| BC808-25LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 64181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3509+ | 0.041 EUR |
| 3611+ | 0.039 EUR |
| 3732+ | 0.037 EUR |
| 6000+ | 0.035 EUR |
| 15000+ | 0.034 EUR |
| 30000+ | 0.032 EUR |
| BC808-25LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 64181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3049+ | 0.047 EUR |
| 3135+ | 0.044 EUR |
| 3216+ | 0.042 EUR |
| 3312+ | 0.039 EUR |
| 3402+ | 0.036 EUR |
| 3509+ | 0.034 EUR |
| 3611+ | 0.031 EUR |
| 3732+ | 0.03 EUR |
| BC808-25LT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.05 EUR |
| 6000+ | 0.044 EUR |
| 9000+ | 0.042 EUR |
| 15000+ | 0.039 EUR |
| 21000+ | 0.037 EUR |
| 30000+ | 0.035 EUR |
| BC808-25LT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Description: TRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
auf Bestellung 41541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 67+ | 0.26 EUR |
| 114+ | 0.15 EUR |
| 185+ | 0.095 EUR |
| 500+ | 0.069 EUR |
| 1000+ | 0.061 EUR |
| BC808-25LT1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V PNP
Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V PNP
auf Bestellung 25575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 0.27 EUR |
| 18+ | 0.16 EUR |
| 100+ | 0.099 EUR |
| 500+ | 0.072 EUR |
| 1000+ | 0.065 EUR |
| 3000+ | 0.049 EUR |
| BC808-25LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC808-25LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 38280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC808-25LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 38280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH




