BC817-16LT3G ON Semiconductor
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Technische Details BC817-16LT3G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 300 mW.
Weitere Produktangebote BC817-16LT3G nach Preis ab 0.018 EUR bis 0.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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BC817-16LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC817-16LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC817-16LT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
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BC817-16LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC817-16LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC817-16LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 36809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC817-16LT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
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BC817-16LT3G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN |
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BC817-16LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC817-16LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC817-16LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC817-16LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC817-16LT3G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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| BC817-16LT3G | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
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BC817-16LT3G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
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