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BC817-16QCH-QZ

BC817-16QCH-QZ Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 575mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
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Technische Details BC817-16QCH-QZ Nexperia

Description: NEXPERIA - BC817-16QCH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 575 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 575mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 575mW, Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe BC817QCH-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC817-16QCH-QZ BC817-16QCH-QZ Nexperia BC817QCH-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BC817-16QCH-Q/SOT8009/DFN1412D
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BC817-16QCH-QZ BC817-16QCH-QZ Nexperia USA Inc. BC817QCH-Q_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1412D-3
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BC817-16QCH-QZ BC817-16QCH-QZ NEXPERIA 3679917.pdf Description: NEXPERIA - BC817-16QCH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 575 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
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Verlustleistung Pd: 575mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 575mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC817QCH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 575mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC817QCH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC817-16QCH-QZ
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC817-16QCH-Q/SOT8009/DFN1412D
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BC817-16QCH-QZ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1412D-3
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BC817-16QCH-QZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817-16QCH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 575 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC817QCH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
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BC817-16QCH-QZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817-16QCH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 575 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Produktpalette: Produktreihe BC817QCH-Q
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Übergangsfrequenz: 100MHz
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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