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BC817-25LT3G

BC817-25LT3G ON Semiconductor

bc817-16lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC817-25LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC817-25LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BC817-25LT3G BC817-25LT3G Hersteller : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC817-25LT3G BC817-25LT3G Hersteller : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC817-25LT3G BC817-25LT3G Hersteller : onsemi bc817-16lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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BC817-25LT3G BC817-25LT3G Hersteller : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC817-25LT3G BC817-25LT3G Hersteller : onsemi BC817_16LT1_D-1802499.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V NPN
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BC817-25LT3G BC817-25LT3G Hersteller : onsemi bc817-16lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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BC817-25LT3G BC817-25LT3G Hersteller : ONSEMI 2237010.pdf Description: ONSEMI - BC817-25LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC817-25LT3G BC817-25LT3G Hersteller : ONSEMI 2237010.pdf Description: ONSEMI - BC817-25LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC817-25LT3G BC817-25LT3G Hersteller : ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC817-25LT3G
Produktcode: 208038
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BC817-25LT3G BC817-25LT3G Hersteller : ONSEMI bc817-16lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 10000pcs.
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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BC817-25LT3G Hersteller : Diodes Incorporated bc817-16lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BC817-25LT3G BC817-25LT3G Hersteller : ONSEMI bc817-16lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 10000pcs.
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