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BC817-25Q-7-F

BC817-25Q-7-F Diodes Incorporated

BC817-16Q_25Q_40Q.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor
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Technische Details BC817-25Q-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - BC817-25Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 160hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 310mW, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC817, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BC817-25Q-7-F BC817-25Q-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0002833364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC817-25Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Wandlerpolarität: NPN
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: DIODES INC.
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