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BC817-40/T3 NXP

BC817_BC817W_BC337.pdf
Hersteller: NXP
NPN, Uкэ=45V, Iк=0.5A, h21=250...600, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори
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Technische Details BC817-40/T3 NXP

NPN, Uкэ=45V, Iк=0.5A, h21=250...600, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BC817-40 /T3 Infineon Technologies Bipolar Transistors - BJT
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BC817-40 /T3 BC817-40 /T3 NXP Semiconductors BC817W_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-13
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BC817-40 /T3
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT
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BC817-40 /T3 BC817W_SER.pdf
BC817-40 /T3
Hersteller: NXP Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-13
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