BC817-40Q-7-F DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC817-40Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 381+ | 0.65 EUR |
| 633+ | 0.37 EUR |
| 1010+ | 0.21 EUR |
| 1311+ | 0.17 EUR |
| 1500+ | 0.14 EUR |
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Technische Details BC817-40Q-7-F DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC817-40Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 170hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 310mW, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC817-40Q-7-F nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BC817-40Q-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC817-40Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 170hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 310mW Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC817-40Q-7-F | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor |
auf Bestellung 36779 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC817-40Q-7-F |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC817-40Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 310mW
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - BC817-40Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung hFE: 170hFE
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Verlustleistung Pd: 310mW
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 500+ | 0.65 EUR |
| 633+ | 0.37 EUR |
| 1010+ | 0.21 EUR |
| 1311+ | 0.17 EUR |
| 1500+ | 0.14 EUR |
| BC817-40Q-7-F |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 5+ | 0.69 EUR |
| 11+ | 0.32 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |
| 500+ | 0.19 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| 3000+ | 0.12 EUR |