BC818-16 Diotec Semiconductor
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Technische Details BC818-16 Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC818-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 310mW, SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC818-16 nach Preis ab 0.02 EUR bis 0.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BC818-16 | Diotec Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC818-16 | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 25V, 800mA, NPN |
auf Bestellung 7404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC818-16 | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 25V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 310 mW |
auf Bestellung 1606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC818-16 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC818-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 310mW SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC818-16 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.8A; 310mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 1747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BC818-16 | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 1713 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC818-16 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| BC818-16 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 25V, 800mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 25V, 800mA, NPN
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 16+ | 0.21 EUR |
| 22+ | 0.15 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.088 EUR |
| 3000+ | 0.067 EUR |
| 9000+ | 0.044 EUR |
| BC818-16 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 25V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 310 mW
Description: TRANS NPN 25V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 310 mW
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 77+ | 0.27 EUR |
| 130+ | 0.17 EUR |
| 211+ | 0.1 EUR |
| 500+ | 0.071 EUR |
| 1000+ | 0.063 EUR |
| BC818-16 |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC818-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 310mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC818-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 310mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 782+ | 0.32 EUR |
| 1298+ | 0.18 EUR |
| 2106+ | 0.1 EUR |
| 2907+ | 0.074 EUR |
| BC818-16 |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.8A; 310mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.8A; 310mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 1747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC818-16 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)