BC818-16 Diotec Semiconductor
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Technische Details BC818-16 Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - BC818-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BC818-16 nach Preis ab 0.025 EUR bis 0.21 EUR
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BC818-16 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC818-16 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.8A; 310mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BC818-16 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.8A; 310mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
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BC818-16 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 25V, 800mA, NPN |
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BC818-16 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 25V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 310 mW |
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BC818-16 | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC818-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC818-16 | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC818-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC818-16 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC818-16 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC818-16 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC818-16 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC818-16 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC818-16 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 25V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 310 mW |
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