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BC818-40LT1G

BC818-40LT1G ON Semiconductor

bc81840lt1d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC818-40LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC818-40LT1G BC818-40LT1G ON Semiconductor bc81840lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3485+0.049 EUR
9000+0.045 EUR
27000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3485 Stücke
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BC818-40LT1G BC818-40LT1G onsemi BC818-40LT1-D.PDF Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.054 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC818-40LT1G BC818-40LT1G ON Semiconductor bc81840lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 41530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2037+0.083 EUR
2874+0.058 EUR
3216+0.051 EUR
5236+0.031 EUR
6000+0.027 EUR
15000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 2037 Stücke
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BC818-40LT1G BC818-40LT1G ON Semiconductor bc81840lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 41530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
767+0.23 EUR
1250+0.13 EUR
2017+0.075 EUR
2037+0.071 EUR
2874+0.049 EUR
3216+0.042 EUR
5236+0.025 EUR
6000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 767 Stücke
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BC818-40LT1G BC818-40LT1G onsemi BC818-40LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V NPN
auf Bestellung 17690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.29 EUR
20+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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BC818-40LT1G BC818-40LT1G onsemi BC818-40LT1-D.PDF Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
117+0.18 EUR
191+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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BC818-40LT1G BC818-40LT1G ONSEMI 2354479.pdf Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 124616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
725+0.35 EUR
1304+0.18 EUR
1905+0.11 EUR
2874+0.075 EUR
3247+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
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BC818-40LT1G BC818-40LT1G ONSEMI 2354479.pdf Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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1304+0.18 EUR
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BC818-40LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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9000+0.045 EUR
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BC818-40LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.054 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC818-40LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 41530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2037+0.083 EUR
2874+0.058 EUR
3216+0.051 EUR
5236+0.031 EUR
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BC818-40LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 41530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
767+0.23 EUR
1250+0.13 EUR
2017+0.075 EUR
2037+0.071 EUR
2874+0.049 EUR
3216+0.042 EUR
5236+0.025 EUR
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BC818-40LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V NPN
auf Bestellung 17690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+0.29 EUR
20+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.046 EUR
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BC818-40LT1G BC818-40LT1-D.PDF
BC818-40LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+0.3 EUR
117+0.18 EUR
191+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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BC818-40LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 124616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
725+0.35 EUR
1304+0.18 EUR
1905+0.11 EUR
2874+0.075 EUR
3247+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
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BC818-40LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 124616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
725+0.35 EUR
1304+0.18 EUR
1905+0.11 EUR
2874+0.075 EUR
3247+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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