BC818-40LT1G ON Semiconductor
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Technische Details BC818-40LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BC818-40LT1G nach Preis ab 0.01 EUR bis 0.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||||
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BC818-40LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC818-40LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 978000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC818-40LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 11794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC818-40LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC818-40LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 30V NPN |
auf Bestellung 70188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC818-40LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 979515 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC818-40LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BC818-40LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC818-40LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC818-40LT1G | Hersteller : ONS |
Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=25V; Ic=0,5A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe min=250 |
auf Bestellung 14960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC818-40LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BC818-40LT1G | Hersteller : ONSEMI |
BC818-40LT1G NPN SMD transistors |
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